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功率器件参数测试
广电计量积极布局第三代半导体功率器件的测试业务,引进国际先进的测试技术,为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务,助力器件国产化、高新化发展。测试项目包括:静态参数、动态参数、热特性、雪崩耐量、短路特性及绝缘耐压测试;设备支持0-1500A,0-3000V的器件参数检测,覆盖MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等标准。
服务介绍
随着技术发展,第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用,未来应用潜力巨大,这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间。
 

测试周期:

根据标准、试验条件及被测样品量确定
 

产品范围:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块
 

测试项目:

静态参数 符号
Drain to Source Breakdown Voltage BVDSS
Drain Leakage Current IDSS
Gate Leakage Current IGSS
Gate Threshold Voltage VGS(th)
Drain to Source On Resistance RDS(on)
Drain to Source On Voltage VDS(on)
Body Diode Forward Voltage VSD
Internal Gate Resistance Rg
Input capacitance Cies
Output capacitance Coes
Reverse transfer capacitance Cres
Transconductance gfs
Gate to Source Plateau Voltage Vgs(pl)
动态参数 符号
Turn-on delay time td(on)
Rise time tr
Turn-off delay time td(off)
Fall time tf
Turn-on energy Eon
Turn-off energy Eoff
Diode reverse recovery time trr
Diode reverse recovery charge Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recovery current
dirr/dt
Total gate charge QG
Gate-Emitter charge QGC
Gate-Collector charge QGE
其他参数 符号
thermal resistance Rth
Unclamped Inductive Switching UIS
Reverse biased safe operating area RBSOA
Short circuit safe operation area SCSOA